01要点
- SK 海力士副总裁在 Hot Chips 2026 称，因 JEDEC 将 HBM 最大堆叠高度从 720 提至 775 微米，减薄紧迫性下降，混合键合导入再延至 HBM5。
- 公司仍订购 Applied Materials 与 Besi 的混合键合中试线，但后续量产订单节奏可能后移，近端催化对 Besi 减弱。
- 浑水调研Plus 专家电话会（三星封装工程师视角）指出：高度与热性能才是主因，层数本身不决定是否上混合键合；2026–2030 为关键过渡期，TCB 改良与混合键合准备并行。
02发生了什么
2026 年 8 月 26 日 Bits&Chips 报道，SK 海力士将混合键合量产节点推向 HBM5，使微凸点技术延长至 HBM4E。管理层强调在 16 层乃至 20 层上实现可靠铜—铜键合仍极具挑战；当时 12 层已量产、16 层处于客户认证。另据 The Elec 等业界消息，三星则在平泽筹备约 50 台 D2W 混合键合量产导向产线，优选 Besi，但大规模商用内部目标仍看向 2030 前后。2026 年 9 月 24 日知识星球「浑水调研Plus」发布的专家电话会纪要进一步指出：单层键合成熟≠多层堆叠制造能力；工具间一致性、污染控制、与现有 TCB 经济性对比，决定真实导入时点；Besi 的优势更多来自逻辑键合量产经验的迭代，但最终 HBM 设备选型仍可能分化。
03共识 / 分歧
- 共识：混合键合是 HBM 长期必选项（更厚 DRAM 裸片、更低热阻、更细间距），但量产窗口在 2020 年代末而非立刻。
- 分歧或未验证：SK 海力士「再推迟一代」与三星「先建 ~50 台产线」节奏是否意味着份额换位；专家称 2026–2030 过渡，但客户认证与良率爬坡可能继续右移。Besi 近端订单能见度因此出现「中试有、量产晚」的解读分裂。
04依据与来源
- Bits&Chips：Besi faces longer wait as SK Hynix pushes hybrid bonding to HBM5（2026-08-26）
- 交叉：The Elec 等关于三星平泽混合键合产线、SK 海力士订购 AMAT–Besi 中试线的业界报道
- 知识星球 浑水调研Plus：【专家电话会】三星 HBM 混合键合（2026-09-24）
05影响标注
利好
- 板块/标的：
000660.KS· 原因：在混合键合尚未成为量产门槛前，延续微凸点+既有 HBM 良率优势，有助于巩固近几代供货份额。 - 板块/标的：
NVDA· 原因：HBM 供给若因工艺切换推迟而更可预期，有利于 GPU 系统出货节奏稳定（视整体 HBM 产能而定）。
利空
- 板块/标的：
BESI.AS· 原因：SK 海力士量产订单后移，削弱混合键合设备的近端催化。 - 板块/标的：
AMAT· 原因：与 Besi 捆绑的混合键合中试之后，放量时点同样可能延后。
中性 / 视情况
- 板块/标的：
005930.KS· 原因：若其平泽产线提前形成能力而竞争对手推迟，中期或有差异化；若全行业一并延后，则短期难体现收入。